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第96章 国产半导体(2 / 2)

的研究。

他完全不像程钢那么乐观:

“国产光刻机远没有外界宣传的乐观,目前国产光刻机实现了28nm的制程,但是良品率远没有ASmL来的高。”

“更重要的在于28nm好研究,但是想再往前,14nm、7nm的光刻机会异常困难。”

“目前光刻机指标有node cd和half-pitch cd。”

“half-pitch cd 是专用于光刻领域描述光刻分辨度的技术指标。比如说前一代193i光刻机, hp cd极限值等于38 nm.现在的EUV NxE 3400b可以做到极限13nm.”

“node cd跟 hp cd不是一个概念。”

“node cd是一个半导体器件的概念,目前主流媒体所说的技术节点便是这个node cd。”

“一般来说 node cd约等于1\/2 *hp cd。”

cd全称是critical dimension

“其中11年 Intel首先将Finfet技术引入22 nm节点。”

“22nm要求 44nm的光刻hp cd。这个要求在实际工艺中很难实现,太接近38nm极限值了。”

“所以intel率先使用double patterning技术。这一技术把同一层的非常靠近的光刻图案分解到两个掩模(mask)上。分两次曝光实现。”

“同理,self-aligned的技术也被引入,三次曝光,四次曝光都成为了可能。”

程钢听得满脸问号,内心对Young在半导体领域的造诣之深感到震惊。

五十岁的人了对前沿技术信手拈来,能做成IdG的合伙人果然都是狠人。

他没有打断Young,因为他对这方面也很感兴趣。

“所以就光刻技术而言,分辨率并不是大问题。尤其在self-aligned技术中。deposition淀积可以实现非常好的精度控制,特别是ALd,能实现 atom on atom的精确控制。”

“既然光刻图案需要被分解到多个mask上,芯片的图案自然不能由着芯片Ic设计师随意画了,得遵循光刻的规则。”

“花为海思部门有在申海的,有在鹏城的。没一家在弯弯。”

“而这种光刻版图的规则毫无疑问是芯片代工厂的最高机密。tSmc不可能透露给客户的。海思只能把逻辑设计交给台积电,台积电再进行制造的优化。”

“海思原始设计没办法考虑这些光刻规则。这也是为什么业界一直认为长期竞争中,Intel与三星优势的原因。”

“三星很早就把三次,甚至四次曝光(self-aligned)技术引入了nand flash生产。”

“因此当台积电还在22 nm时,三星就开始宣传我们已经有14 甚至 10 nm技术了。大概是13年的时候。”

“三星与台积电在芯片代工中是竞争对手。台积电嘴巴上当然不能输。悄悄的放宽了node cd的定义,也把自己技术从22 nm吹到了14nm。”

“这种夸大也延续到了现在,实际上三星跟台积电的7nm只比Intel的14nm强一点,强的有限。”

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